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產品信息

  特　點

● 最適合工藝過程中的薄膜高速測量

● 最短曝光時間1ms～※根據規格

● 支持遠程測量

● 膜厚測量范圍65nm～92μm（換算為SiO2）

  基本配置

  多點測量點切換對應系統

在多點測量點切換對應系統中，通過在TD方向預先設置任意寬度的多分支光纖，可以在不驅動光纖的情況下測量TD方向的膜厚分布。可以作為涂層的條件和實時監視器使用。

檢測器和數據處理系統為1式，通過光纖的光路切換可以進行多點測定。

  橫動單元對應系統

在橫動單元對應系統中，通過在TD方向上驅動橫動單元，可以以任意寬度和任意間距測量TD方向的膜厚分布。

可以作為涂層條件提出和實時監控使用。 由于通過排線單元的驅動進行多點測量，因此無需準備多臺檢測器和數據處理。

  即使在真空環境下也可以在多點進行反射、透射光譜測定

通過使用各種法蘭對應的耐真空纖維，可以在高真空下測量反射、透射光譜。

另外，膜厚運算不易受到基膜的上下移動的影響，并且采用精度良好的薄膜測量大冢電子獨自的算法，可以作為實時監視器使用。